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电子元器件详细资料 » IC[28871] » NVD5865NLT4G
型号:NVD5865NLT4G类别:FET - 单制造商:ON Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N CH 60V DPAK-4

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N CH 60V DPAK-4
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C-
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C16 毫欧 @ 19A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs29nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1400pF @ 25V
功率_最大3.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)

供应商

HECC GROUP CO,LIMITED蔡小姐/吴小姐/钱先生/朱先生086-755-88608527(高端电子元件渠道商)/83950895/83950890
HECC GROUP CO,LIMITED蔡小姐/钱先生/吴小姐/朱先生(电子元器件优质供应商)086-755-88608527/83950895/83950890
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